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Electronic structure and optical properties of triangular GaAs/AlGaAs quantum dots: Exciton and impurity states

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Date
2016
Author
Tiutiunnyk A.
Akimov V.
Tulupenko V.
Mora-Ramos M.E.
Kasapoglu E.
Ungan F.
Sökmen I.
Morales A.L.
Duque C.A.

Citación

       
TY - GEN T1 - Electronic structure and optical properties of triangular GaAs/AlGaAs quantum dots: Exciton and impurity states AU - Tiutiunnyk A. AU - Akimov V. AU - Tulupenko V. AU - Mora-Ramos M.E. AU - Kasapoglu E. AU - Ungan F. AU - Sökmen I. AU - Morales A.L. AU - Duque C.A. Y1 - 2016 UR - http://hdl.handle.net/11407/2273 PB - Elsevier AB - ER - @misc{11407_2273, author = {Tiutiunnyk A. and Akimov V. and Tulupenko V. and Mora-Ramos M.E. and Kasapoglu E. and Ungan F. and Sökmen I. and Morales A.L. and Duque C.A.}, title = {Electronic structure and optical properties of triangular GaAs/AlGaAs quantum dots: Exciton and impurity states}, year = {2016}, abstract = {}, url = {http://hdl.handle.net/11407/2273} }RT Generic T1 Electronic structure and optical properties of triangular GaAs/AlGaAs quantum dots: Exciton and impurity states A1 Tiutiunnyk A. A1 Akimov V. A1 Tulupenko V. A1 Mora-Ramos M.E. A1 Kasapoglu E. A1 Ungan F. A1 Sökmen I. A1 Morales A.L. A1 Duque C.A. YR 2016 LK http://hdl.handle.net/11407/2273 PB Elsevier AB OL Spanish (121)
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CiteULike
Metadata
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Abstract
Electronic structure and optical properties in equilateral triangular GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum dots are studied extensively. The effects of donor and acceptor impurity atoms positioned in the orthocenter of the triangle, as well as of the external DC electric field are taken into account. Binding energies of the impurity, exciton energies, interband photoluminescence peak positions as well as linear and non-linear optical properties in THz range caused by transitions between excitonic states are calculated and discussed. © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
URI
http://hdl.handle.net/11407/2273
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