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Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type δ-doped QW

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Date
2016
Author
Tulupenko V.
Duque C.A.
Morales A.L.
Tiutiunnyk A.
Demediuk R.
Dmytrychenko T.
Fomina O.
Akimov V.
Restrepo R.L.
Mora-Ramos M.E.
TY - GEN T1 - Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type δ-doped QW AU - Tulupenko V. AU - Duque C.A. AU - Morales A.L. AU - Tiutiunnyk A. AU - Demediuk R. AU - Dmytrychenko T. AU - Fomina O. AU - Akimov V. AU - Restrepo R.L. AU - Mora-Ramos M.E. Y1 - 2016 UR - http://hdl.handle.net/11407/3140 PB - Wiley-VCH Verlag AB - ER - @misc{11407_3140, author = {Tulupenko V. and Duque C.A. and Morales A.L. and Tiutiunnyk A. and Demediuk R. and Dmytrychenko T. and Fomina O. and Akimov V. and Restrepo R.L. and Mora-Ramos M.E.}, title = {Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type δ-doped QW}, year = {2016}, abstract = {}, url = {http://hdl.handle.net/11407/3140} }RT Generic T1 Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type δ-doped QW A1 Tulupenko V. A1 Duque C.A. A1 Morales A.L. A1 Tiutiunnyk A. A1 Demediuk R. A1 Dmytrychenko T. A1 Fomina O. A1 Akimov V. A1 Restrepo R.L. A1 Mora-Ramos M.E. YR 2016 LK http://hdl.handle.net/11407/3140 PB Wiley-VCH Verlag AB OL Spanish (121)
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Metadata
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Abstract
Additional (residual) impurities in the barriers change the energy profile of a quantum well. This means that they alter the ionization energy for the impurity delta layer situated within the quantum well. In turn, this is accompanied by the change of a V-shaped quantum well created by ionization of the delta layer. All of this is the subject of studies presented in this article. It has been shown that the most dramatic are the changes in the difference between the space-quantized energy levels for an edge-doped quantum well. © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
URI
http://hdl.handle.net/11407/3140
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